G2020 Series SiC 500 to 750 kVA | Power Electronics | Toshiba International Corporation
東芝、SiC MOSFETのデバイス構造を最適化：高温環境下で高信頼と電力損失低減 - EE Times Japan
Toshiba Launches its 3rd Generation SiC MOSFETs that Contribute to the Higher Efficiency of Industrial Equipment | Business Wire
新手法で電力損失やコスト減 東芝D&Sが新世代のSiC MOSFET（電波新聞デジタル） - Yahoo!ニュース
Toshiba ships 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET ...
東芝がＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの新構造開発信頼性を10倍超に向上 | 電波新聞デジタル
IGBTはSiCでは使われないことが示された「人とクルマのテクノロジー展」 - セミコンポータル
SiC MOSFETの新構造東芝デバイス＆ストレージが開発 | 電波新聞デジタル
Toshiba Launches Silicon Carbide MOSFET Module That Contributes to Higher Efficiency and Miniaturization of Industrial Equipment | Business Wire
![東芝インフラシステムズ：JR西日本の新型車両に3.3kV All-SiC素子採用の駆動システムを納入｜Motor-FanTECH[モーターファンテック]](https://car.motor-fan.jp/images/articles/10008644/big_1118673_201903141122510000001.jpg "東芝インフラシステムズ：JR西日本の新型車両に3.3kV All-SiC素子採用の駆動システムを納入｜Motor-FanTECH[モーターファンテック]")
東芝インフラシステムズ：JR西日本の新型車両に3.3kV All-SiC素子採用の駆動システムを納入｜Motor-FanTECH[モーターファンテック]
東芝D＆Sの新世代SiC MOSFET低オン抵抗で損失大幅削減 | 電波新聞デジタル
東芝デバイス＆ストレージが目指す脱炭素社会】パワー半導体「SiC MOSFET」が持つ可能性と半導体の進化に必要な人材とは | Nikken→Tsunagu
SiC MOSFET make its way to Toshiba UPS system
Toshiba's New SiC MOSFETs Delivers Low On-Resistance and Significantly Reduced Switching Loss | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Americas – United States
特集】東芝が化合物パワー半導体の開発・製品化を加速 データセンターや社会インフラでの活用拡大を見込む - クラウド Watch
東芝ハイブリッドSiC】全区間走行音（バイノーラル） E235系01編成 山手線 外回り 「品川→品川→渋谷」 - YouTube
東京メトロ丸ノ内線新型車両2000系向け電気品の納入について－All-SiC素子と全閉PMSM、「SCiB™」を組み合わせた駆動システムを世界で初めて導入－ | ニュースリリース | 東芝インフラシステムズ
東海道新幹線車両向けのSiCを適用した主変換装置を開発 ～世界初の高速鉄道での走行試験～ | ニュースリリース | 東芝インフラシステムズ
ニュースリリース (2011-12-08)：従来比約６０％の体積削減を実現したＳｉＣ適用鉄道車両向けインバータの開発 | ニュース | 東芝
File:Hankyu8001 SiC-VVVF.JPG - Wikimedia Commons
昭和電工が東芝やロームとパワー半導体向けSiCエピウェハ長期供給を契約 | TECH+（テックプラス）
第2世代SiC MOSFETの特長 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本
